国产长鑫内存接连重大突破！全球首家量产LPDDR6、HBM3E已开始试产

快科技9月1日消息，国产存储芯片制造商长鑫存储在一周之内，连续拿下LPDDR6、HBM3E两项重大突破。

就在几天前，长鑫刚刚宣布LPDDR6内存量产，领先三星、SK海力士成为全球首家量产LPDDR6的厂商，首发搭载于小米18 Fold折叠屏手机。

而在AI领域，最新消息称长鑫已启动HBM3E内存的风险量产，成为国产高端存储领域的一次重大突破，对降低中国AI产业对西方HBM供应链的依赖具有重要意义。

HBM3E是目前AI加速卡的核心存储，NVIDIA H200和B300系列均依赖这一规格。

按照JEDEC标准规范，HBM3E采用1024位接口，单Pin速率在9.2至12.4Gbps之间，主流配置瞄准9.6Gbps，总带宽可达1.2TB/s。

容量方面，8层堆叠提供24GB，12层堆叠可达36GB，长鑫尚未公布具体规格参数，但大概率会对标这一标准。

HBM的制造工艺极其复杂，一颗HBM芯片需要将多层DRAM裸片通过TSV硅通孔技术堆叠封装在一起，对制造精度和良率控制的要求远超普通DDR5。

这也是全球能量产HBM的厂商屈指可数的原因，目前仅有SK海力士、三星和美光三家实现规模出货，长鑫若能从风险量产快速过渡到大规模制造，将成为全球第四家具备HBM量产能力的厂商。

风险量产阶段意味着良率仍然很低，能够产出的可用芯片数量有限，但长鑫DDR5产品此前就曾在极短时间内从试产转为大规模出货，几周内启动HBM3E大规模量产并不令人意外。

不过长鑫的HBM3E距离韩国双雄仍有约两代差距，SK海力士目前是HBM3E的最大供应商，独占NVIDIA H200的订单，同时已经在准备向HBM4E过渡，预计带宽将超过1.6TB/s。三星也在加速追赶，美光则稍显落后。

但对中国半导体供应链而言，从无到有比追平差距更重要，在AI芯片被出口管制卡脖子的背景下，国产HBM的突破意味着国产AI加速卡有了配套的存储方案。

如寒武纪此前推出思元590和690等AI芯片，性能指标对标NVIDIA A100和H100，但一直面临HBM供应受限的困境，只能使用GDDR6或DDR4作为替代方案，带宽和能效与HBM差距明显，国产HBM3E量产后，这一短板有望补齐。