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消息称美光正探索开发近GPU NAND闪存以运行更大的LLM
📋总体概括
据新浪财经报道,美光正探索开发「近GPU NAND」闪存方案,将高耐久性NAND模块布置在更靠近GPU的位置,服务那些无需HBM或常规DRAM级别延迟与带宽的工作负载。该架构牺牲部分密度(低于传统TLC/QLC),换取更高的I/O速度、带宽和读取速度,目标让GPU直接访问数百GB存储池,从而缓解大模型推理时的内存容量瓶颈。若落地,将为LLM推理提供HBM之外的性价比路线,重塑存储层与计算层的耦合方式,对存储厂商是新的增量战场。
⚡关键信息
- ▸美光正在探索「近GPU NAND」架构,将NAND闪存模块布置在更靠近GPU的位置
- ▸方案针对无需HBM或常规DRAM那样高带宽、低延迟的工作负载
- ▸该NAND密度低于传统TLC/QLC,但重点提升I/O速度、带宽和读取速度
- ▸技术目标是让GPU直接访问数百GB的存储池,缓解LLM运行时的内存限制
- ▸模块强调高耐久性设计,以支撑频繁的读写访问场景
🔥犀利点评
本质是用容量换速度的分层妥协:HBM太贵、DRAM不够,美光想在中间塞一层能扛住频繁读的NAND。思路成立——推理吞吐常卡在权重搬运而非算力,把存储池拉近GPU确实能扩上下文窗口、摊薄成本。但这不是什么革命,更像给内存墙打补丁,真正决定成败的是耐久性和I/O延迟能否逼近DRAM半步。别急着唱美光,三星、SK海力士不会坐视,落地周期恐怕比PPT里长得多。
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