进入1.4nm节点比台积电更快：Intel 14A工艺关键指标D0提前一年实现

📋总体概括

Intel的1.4nm级14A工艺进展超出预期，CFO David Zinsner称其顺利程度是22nm工艺以来从未有过的。据曝光资料，今年6月14A缺陷密度已达D0 0.5，目标2027年Q1做到D0 0.1-0.2，进度比18A节点领先3-4个季度，意味着提前一年量产的说法有实据支撑，量产时间可能提前到2028年上半年甚至Q1。缺陷密度直接决定良率：D0小于0.1对应小芯片90%以上良率、AI大芯片65-75%良率，而D0 0.5仅约10%良率，尚不具备量产条件。14A被视为Intel真正赶超台积电的关键节点。