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国产半导体设备重大突破！北方华创宣布3D DRAM刻蚀突破：没有EUV也能造先进存储
📋总体概括
北方华创在IEEE期刊发表论文，宣布开发出两步循环刻蚀工艺，攻克3D DRAM制造中硅锗层横向选择性刻蚀难题，针对64层硅/硅锗交替堆叠结构实现精准剥离，工艺刻蚀选择性据称超过500:1。3D DRAM通过垂直堆叠晶体管提升密度，被视为DRAM下一代技术路线。由于该路线对光刻依赖度降低，有望帮助长鑫存储在EUV光刻机被禁运的背景下推进先进存储自主量产，是国产设备厂商从跟随走向工艺定义的标志性进展。
⚡关键信息
- ▸北方华创在IEEE期刊发文，宣布3D DRAM刻蚀工艺重大突破，属于设备厂商主导的原创工艺方案
- ▸两步循环刻蚀分「刻」与「清」两阶段：先用无偏置氟自由基定点刻蚀硅锗层，再清理副产物保证纵深穿透
- ▸方案针对64层硅/硅锗交替堆叠的3D DRAM结构，刻蚀选择性据论文披露超过500:1
- ▸3D DRAM靠晶体管三维垂直堆叠提升密度，对光刻依赖下降，为绕开EUV封锁提供可能路径
- ▸该技术有望助力长鑫存储推进先进存储自主量产，直指被三星、SK海力士等垄断的前沿领域
🔥犀利点评
这事的真正看点不是500:1这个数字，而是角色反转：过去是国产设备追着国外工艺跑，现在北方华创直接用论文定义工艺路线。3D DRAM本质是把光刻难题换成刻蚀难题，恰好打在国产设备相对最强的环节上——这是典型的扬长避短，不是硬碰硬。但泼盆冷水：论文到量产隔着千山万水，良率、成本、64层往更高层数的扩展性都是未知数，三星和海力士也不会停下来等。方向对，别急着开庆功宴。
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