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备战 HBM4E：消息称 1c nm 有望 2027 年初成为 SK 海力士第一大 DRAM 工艺
📋总体概括
据韩媒ChosunBiz报道，SK海力士第六代10nm级DRAM工艺1c nm预计2027年初超越1b nm成为其第一大制程：1c nm产能占比从2026Q1的10%逐季升至2027Q1的35%，同期1b nm约为33%形成交叉。1c nm是HBM4E所用DRAM Die，而HBM4仍用1b nm，提前扩充1c nm产能意在保障HBM4向HBM4E切换的平滑过渡。对比之下，业内预计2026Q2末三星和美光第六代10nm级DRAM产能占比仅分别为16%和19%，SK海力士在先进制程节奏上明显领先。
⚡关键信息
- ▸SK海力士1c nm产能占比将从2026Q1的10%逐季升至2027Q1的35%，超越1b nm成为第一大DRAM制程
- ▸2027年初1b nm占比约33%，与1c nm形成交叉点
- ▸HBM4仍采用1b nm Die，HBM4E将升级至1c nm Die，扩产1c nm是为HBM代际切换铺路
- ▸业内预计2026Q2末三星、美光第六代10nm级DRAM产能占比仅16%和19%，明显落后于SK海力士
🔥犀利点评
这不是普通制程迭代，而是一场围绕HBM的卡位战。1c nm的意义全在HBM4E——SK海力士提前一年多铺产能，本质是要锁定下一代HBM的供给权，继续吃住英伟达们的高利润订单。反观三星16%、美光19%的占比，差距不是几个点，而是一个产品代际的时间差。HBM竞争早已不是比谁良率高，而是比谁能在客户切换节点准时交货，SK海力士显然又先手一步。
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