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阿斯麦赢得台积电和三星承诺 新一代EUV光刻机获强力“护航”

财联社深度·2026/9/8 09:00:29🔗 原文

📋总体概括

阿斯麦9月8日连发三则公告,宣布与台积电、三星、英特尔推进下一代高数值孔径EUV光刻技术落地:台积电计划2030年起将High NA用于先进制程量产,三星拟2028年前首次将其用于DRAM大规模生产,英特尔已处理超100万片相关技术晶圆。三星称合作将推动12英寸光掩模取代沿用几十年的6英寸格式。此举为High NA EUV规模化商用提供了三大头部芯片制造商的明确时间表,也为AI数据中心大芯片制造铺路。

关键信息

  • 阿斯麦9月8日连发三公告,与台积电、三星、英特尔共同推进High NA EUV技术落地
  • 台积电计划自2030年起将High NA用于先进制程大规模生产
  • 三星计划2028年前首次将High NA用于DRAM大规模生产
  • 英特尔表示已处理超过100万片采用High NA EUV相关技术的晶圆
  • 现有EUV单次曝光面积约800平方毫米,已逼近英伟达、谷歌设计芯片的极限

🔥犀利点评

所谓「护航」,本质是阿斯麦给自己2亿美元级High NA设备的销量上保险——没有三大客户的量产时间表,这机器就是实验室摆设。值得注意的是英特尔跑得最激进,已处理百万片晶圆,这说明在制程竞赛里掉队者反而最舍得押注新装备,想借High NA一次跳过几个节点弯道翻盘。而台积电排到2030年才量产,说明High NA成本与产能成熟度远未就绪,AI芯片的曝光面积瓶颈短期内还得靠拼接曝光硬扛。

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