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韩媒嘲讽长鑫HBM3良率仅25%：4个里3个是废品！拿什么追SK海力士
📋总体概括
韩国《朝鲜日报》报道称，长鑫存储已启动第四代HBM3试产，但初期良率仅25%，远低于行业公认的80%量产黄金线，而SK海力士自2022年量产同类产品、良率已超90%。韩媒将瓶颈归结于TSV硅通孔技术：长鑫每颗芯片TSV约3000个，低于三星HBM2的5000多个和SK海力士HBM3的8000多个。该报道带有明显嘲讽意味，但也侧面证实长鑫HBM3已进入试产阶段，追赶速度值得关注。
⚡关键信息
- ▸长鑫存储已启动HBM3试产，初期良率仅25%，距80%的量产黄金良率差距明显
- ▸SK海力士自2022年起量产同类HBM3，良率已超90%，领先长鑫约3年以上
- ▸韩媒指认核心瓶颈在TSV硅通孔技术，而非G4工艺的普通DRAM本身
- ▸TSV数量对比：长鑫约3000个/颗，三星HBM2超5000个，SK海力士HBM3超8000个
- ▸TSV需在每层钻数千个微米级孔并填铜，偏移或填充不完整即整层报废
🔥犀利点评
韩媒这波嘲讽数据未必有假，但立场先行：拿良率爬坡期的试产数据对比量产三年的老手，本身就是不对称打击。反过来看，长鑫能把HBM3做到试产，本身就说明制裁围堵没堵住。真正的看点不是今天25%还是明天40%，而是TSV这种靠时间堆出来的know-how，长鑫用什么速度压缩那4到5年的差距——这才是韩媒真正紧张的地方。
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