长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场

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据路透社援引知情人士报道，中国存储芯片巨头长鑫科技拟进军NAND闪存市场，打破其专攻DRAM的定位，与三星电子、SK海力士及国内对手长江存储正面竞争。长鑫计划在北京新厂设立NAND闪存研发生产线并开设研究所。AI服务器需求引发全球存储供应短缺，业内预计至少持续到2027年，而厂商资金集中投向DRAM和高带宽内存，令NAND短缺进一步加剧，为长鑫切入创造了窗口。