1个原子厚的二维半导体！生长400次只失败3次

📋总体概括

韩国科学技术院（KAIST）与初创公司TDS Innovation在《自然》发表论文，提出名为EF-SCN（刻蚀通量介导单一中心成核）的二维半导体生长方法：在生长区四周布置氧化物阻挡层，利用其分解释放的氧气横向扩散形成刻蚀通量，抑制中心以外位置成核，迫使单晶只在正中生长。该工艺将单层二硫化钼的成功率提升至400次生长仅失败3次，制成的场效应晶体管载流子迁移率高于此前选择性生长水平的报告值，为二维半导体接替硅的量产难题提供了解法。