存储大战升级！长鑫刚宣布年底推4F2 DDR5 三星后脚确认4F2 DRAM开发完毕

📋总体概括

存储芯片4F²架构竞争骤然升温。长鑫存储总裁曹堪宇在10月9日上海芯粒大会上宣布，2026年底将推出基于4F²架构、采用自研VSG垂直环绕栅极晶体管的服务器DDR5 RDIMM产品，专利积累超300件；仅数日后，三星在首尔SEDEX 2026展会上确认其4F² DRAM技术开发完成，量产时点正与客户协调，路线图为2028年量产10a DRAM。4F²将单元面积从6F²缩至4F²，密度理论提升约50%。市场一度解读长鑫领先约两年，但机构Rosenblatt认为下结论为时尚早。