长鑫把晶体管“竖起来”：绕开EUV 的追赶路，会撼动存储三巨头吗？

📋总体概括

长鑫科技宣布在DRAM器件、4F²架构和混合键合方向取得重大技术突破，消息引发海外三大存储厂股价大幅下挫。市场核心担忧在于：4F²架构能直接提升单位晶圆产出，相当于在不依赖EUV光刻机的情况下实现先进制程级的密度跃升；而中国厂商一旦突破技术壁垒，其量产爬坡速度往往超出预期。两项因素叠加，意味着国内DRAM有效供给可能比此前市场预期增长更快，直接冲击三星、SK海力士、美光长期把持的存储格局。