车规芯片
三星S28的基带芯片要上2纳米！今年这代已通过测试
📋总体概括
三星确定下一代基带通信芯片M2800将采用2纳米工艺制造，计划2027年完成开发，用于2028年上市的Galaxy S28系列。三星自Galaxy S26起将基带从SoC中独立出来，此前外置通信芯片一直用4纳米工艺，此次直接跳过3纳米升级到2纳米。腾出的4纳米产能将转产HBM高带宽内存。今年的M2700虽仍是4纳米，但功耗、面积和卫星通信均有改进，并弃用Shannon品牌改为M系列命名。
⚡关键信息
- ▸三星下一代基带芯片M2800确定采用2纳米工艺，2027年完成开发，用于2028年的Galaxy S28系列
- ▸此前三星外置通信芯片一直用4纳米，这次直接跳到2纳米，比自家处理器工艺还激进
- ▸升级后空出的4纳米产能将转去做HBM高带宽内存，产能重新分配
- ▸今年M2700仍是4纳米，通过电压调整优化功耗，芯片面积用光学收缩工艺缩小约4%
- ▸三星弃用Shannon品牌名，统一改为M系列，M2700是改名后首款产品
🔥犀利点评
基带芯片率先冲2纳米，三星这步棋很精明：基带对性能没那么敏感，先拿它练手2纳米良率，等于给自家先进工艺找了块试验田，还能给Exynos铺路。4纳米产能转头去做HBM更是把算盘打得噼啪响——AI内存才是真正的印钞机。不过三星代工良率的前科摆在那，S26的Shannon 5410连竞品功耗都打不过，2纳米能不能兑现还得先过良率这一关。
📰 相关资讯（与本文相关的其他资讯）
本文由本站自动聚合，以下为原始来源：前往 驱动之家 阅读全文 →