车规芯片
SK海力士加速部署iHBM技术，新一代HBM散热能力提升30%
📋总体概括
SK海力士正加速推进新一代iHBM（集成高带宽存储）技术迈向量产，已启动量产计划讨论。该技术在芯片间物理层（D2D PHY）中嵌入集成冷却元件（ICE），可将热阻降低高达30%，直击AI算力激增下HBM散热瓶颈这一核心痛点。散热能力提升意味着存储芯片有望支撑更高频率与更高堆叠层数，SK海力士试图以散热差异化路线巩固其在HBM市场对三星、美光的领先身位。
⚡关键信息
- ▸SK海力士正在推动iHBM技术迈向量产阶段，并已开始讨论相关量产计划
- ▸iHBM在芯片间物理层（D2D PHY）中放置集成冷却元件（ICE）以强化散热
- ▸该技术可将热阻降低高达30%，散热能力显著提升
- ▸散热问题已成为AI算力需求激增背景下HBM性能提升的重要瓶颈
🔥犀利点评
HBM竞赛打到堆叠层数和容量的天花板后，散热成了下一个决胜点。SK海力士把冷却元件直接做进D2D物理层，这个思路很聪明——别人在材料上抠几个百分点，它直接重构热路径，30%热阻降幅足够改写堆叠层数上限。但量产良率和成本是绕不过去的坎，往芯片里塞散热元件不是改个封装就完事。AI买家的钱包撑得起溢价，就看SK海力士能不能把iHBM从PPT按时变成供货清单。
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