车规芯片
美光预计 2028 年带来计算芯片垂直堆叠 HBM 与边缘推理 vEIM
📋总体概括
美光在2026年度技术网络研讨会上展望了两种新型3D堆叠内存产品vHBM和vEIM，预计与标准HBM5同在2028年面世。vHBM将DRAM裸片、Base Die与XPU逻辑主芯片垂直堆叠，缩短数据通信路径，提升带宽效率并降低能耗，可与现有2.5D HBM共存；vEIM结构类似但面向端侧AI推理场景，初代产品目标带宽达2TB/s、能效低于1pJ/bit。这标志着内存从平面封装走向真正的3D垂直集成，是后摩尔时代算力与内存瓶颈破解的关键路径。
⚡关键信息
- ▸美光在2026年度技术研讨会上预告vHBM与vEIM两种3DS新型内存，均计划2028年与标准HBM5同期面世
- ▸vHBM将DRAM裸片、Base Die和XPU逻辑主芯片垂直堆叠，缩短通信路径、提升带宽效率并降低能耗
- ▸vHBM可与标准2.5D HBM共存，并非完全取代现有封装方案
- ▸vEIM瞄准端侧AI推理场景，初代产品目标实现2TB/s带宽和低于1pJ/bit的能效
- ▸两种产品均属3DS堆叠集成路线，标志泛HBM内存从2.5D走向3D垂直集成
🔥犀利点评
内存墙逼到墙角，厂商终于把算力芯片和内存焊成一块了。vHBM本质是把CoWoS那套2.5D再往真3D推一层，路径缩短带来的带宽和功耗收益是实打实的；vEIM更值得车企和端侧玩家盯着，2TB/s带宽加1pJ/bit能效若兑现，边缘大模型推理的成本结构将被改写。但2028年才落地，其间HBM5、混合键合工艺的良率都是硬仗，美光这是提前画饼抢话语权，兑现能力还得看SK海力士和三星接不接招。
📰 相关资讯（与本文相关的其他资讯）
本文由本站自动聚合，以下为原始来源：前往 IT之家 阅读全文 →