美光认为 4F² DRAM 内存无可行扩展路径，1ε 晶圆键合、 ζÅ High NA EUV

📋总体概括

美光在2026年度技术网络研讨会上明确表态：4F² DRAM因复杂度与成本问题没有可行的规模化路径，公司将转向3D DRAM作为长期发展方向。其当前技术路线图为：第7代10nm级节点1δ已进入良率爬坡，第8代节点1ε将引入晶圆键合，首代亚10nm级节点ζÅ处于早期开发并导入High NA EUV光刻，第二代节点ηÅ计划应用新材料。这一判断与三星在亚10nm DRAM上放弃4F²路线的传闻一致，但与长鑫存储计划年内推出4F²混合键合DDR5 RDIMM形成分歧，折射出DRAM行业在2D微缩极限下的路线分化。