400层闪存有多猛！美光跳过G10直奔G11：密度翻倍还省电

📋总体概括

美光在2026年度技术研讨会上预告下一代G11 NAND闪存：堆叠层数突破400层，采用晶圆对晶圆键合技术，面积存储密度约为现有276层G9 NAND的2倍，I/O速率最高提升1.5倍，数据传输能耗降低25%以上。美光跳过G10世代直接从G9跨到G11，G11预计2027年下半年产能爬坡。此后还将导入高迁移率材料实现超密集单元架构，并推出两类面向AI负载的数据中心级AI-class NAND设计。