供应链

美光泼冷水:长鑫正在实施的4F2技术是死路一条 应该采用3D DRAM

驱动之家·2026/10/22 09:39:00🔗 原文

📋总体概括

美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在2026年度技术网络研讨会上称,经二十多年研究,4F² DRAM架构不存在可行的微缩路径,密度优势被夸大,美光将坚持6F²并全力转向3D DRAM。此言被解读为针对长鑫存储,后者本月刚宣布2026年底前推出基于4F²架构的DDR5 RDIMM服务器内存,消息曾引发SK海力士单日暴跌超10%、三星跌超7%。4F²通过垂直堆叠晶体管与电容,理论上可缩减30%至40%芯片面积,双方技术路线之争成为存储竞争焦点。

⚡关键信息

  • ▸美光高管称4F² DRAM经二十多年研究仍无可行微缩路径,密度优势是「神话」
  • ▸长鑫宣布2026年底前推出4F²架构DDR5 RDIMM服务器内存
  • ▸长鑫消息曾致SK海力士单日暴跌超10%、三星跌超7%
  • ▸4F²将晶体管与电容垂直堆叠,理论上芯片面积可缩减30%至40%
  • ▸美光选择跳过4F²,坚持6F²并全力转向3D DRAM

🔥犀利点评

美光这话与其说是技术判断,不如说是心理战。长鑫一条技术路线官宣就能让海力士暴跌一成,说明市场真怕中国厂商弯道超车。但4F²到底是不是死路,不该由竞争对手嘴上定生死——美光二十多年搞不出来,不代表长鑫搞不出来,当年EUV不也被唱衰多年。真正的看点是2026年底长鑫那批RDIMM能不能按时落地、良率如何。技术路线之争,最终靠流片说话,不靠研讨会放炮。

本文由本站自动聚合,以下为原始来源:前往 驱动之家 阅读全文 →