车规芯片
Intel布局20年后的半导体芯片技术：CFET、3D堆叠、混合键合等都要上
📋总体概括
Intel在Dwarkesh Podcast访谈中披露面向2045年的技术路线，CTO Chris Auth与制程负责人Jack Kavalieros等人介绍多个方向：晶体管结构将从GAA转向CFET互补场效应晶体管，把P、N管垂直堆叠提升密度；材料上计划用钌替代铜线应对金属线变窄后的电阻问题；封装上押注混合键合实现更细间距与更高带宽。此前Intel 18A已对标台积电N2，14A指标与台积电A14差距约5%，量产或提前一年半载。
⚡关键信息
- ▸Intel CTO Chris Auth、Jack Kavalieros在播客中公布面向2045年的工艺技术布局。
- ▸晶体管将从GAA转向CFET，P、N垂直堆叠提升密度，但面临刻蚀、良率与散热挑战。
- ▸材料端计划用稀有金属钌替代铜线，应对金属线变窄导致的电阻问题，铜线仍保留部分用途。
- ▸封装侧押注混合键合技术，以更精细间距实现更高带宽。
- ▸Intel 18A对标台积电N2，14A与台积电A14指标差距约5%，量产进度可能提前一年半载。
🔥犀利点评
Intel终于不再只讲追赶叙事，开始铺20年后的技术底牌。CFET、钌互连、混合键合都是行业公认的下一代方向，谁先做成谁握定义权。但概念人人都画得出来，Intel的短板从来不是路线图而是执行——14nm时代掉队的教训还在。18A量产良率和14A能否兑现进度，才是检验这家公司是否真复兴的唯一标准。
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