芯片产出暴增2.3倍！全球首个300mm氮化镓量产厂落地：总投资超82亿元

📋总体概括

欧盟委员会批准向英飞凌提供3.19亿欧元（约23.86亿元人民币）国家补贴，支持其在奥地利菲拉赫工厂建设全球首座300mm氮化镓功率半导体大规模量产线，项目总投资约11亿欧元（约82.27亿元），计划2027年底前产出首批产品。300mm晶圆面积是200mm的2.25倍，单片芯片产出约2.3倍，有望显著降低GaN器件成本。在AI算力功耗攀升背景下，GaN凭借高开关频率、低损耗特性成为功率电子的关键升级方向。