长鑫科技：基于 4F² 架构的第六代技术平台 DRAM 完成工程样片验证

📋总体概括

长鑫科技在三季度业绩交流会上披露多项DRAM技术进展：第五代工艺平台已实现量产，每片晶圆裸片产出较第四代提升至少50%，主要落地245Ball和496Ball封装的LPDDR5X产品；LPDDR6实现量产；基于4F²垂直沟道架构的第六代平台完成工程样片验证，年底将送样首款4F²架构DDR5 RDIMM，优先切入服务器等高密度、高附加值市场。这标志着国产存储在先进DRAM工艺上持续追赶国际巨头。