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英特尔14A工艺表现优异 明年下半年风险试产
📌 概要
<p>快科技8月28日消息，<strong>在德意志银行2026年技术大会上，英特尔首席财务官David Zinsner表示，即将推出的Intel 14A制程拥有自22nm节点以来最优的“缺陷密度曲线”。</strong></p> <p>22nm是英特尔首个FinFET节点，以此作为参照，也折射出公司在先进制程上的曲折历程——14nm首发欠佳，10nm遭遇重挫，而22nm初期同样良率低迷，曾有内部
<p>快科技8月28日消息，<strong>在德意志银行2026年技术大会上，英特尔首席财务官David Zinsner表示，即将推出的Intel 14A制程拥有自22nm节点以来最优的“缺陷密度曲线”。</strong></p>
<p>22nm是英特尔首个FinFET节点，以此作为参照，也折射出公司在先进制程上的曲折历程——14nm首发欠佳，10nm遭遇重挫，而22nm初期同样良率低迷，曾有内部员工透露首批Ivy Bridge芯片良率一度为零。</p>
<p>英特尔多次调整14A路线图：2026年5月CEO陈立武给出的规划是2028年风险试产、2029年量产，<strong>但在7月财报会议中，时间表提前至2027年下半年风险试产、2028年全面量产。</strong></p>
<p><span style="color: #ff0000;"><strong>陈立武强调，14A在缺陷密度和晶体管性能上均超越18A同期水平。目前0.5版本PDK已向客户开放，0.9版本预计2026年10月发布。</strong></span>技术方面，14A将采用第二代RibbonFET、PowerDirect背部供电及ASML High-NA EUV光刻设备。</p>
<p>先进封装领域，英特尔的EMIB-T技术预计2027年大规模量产。该技术通过在基板中嵌入硅桥实现高密度互连，新增硅通孔结构使ASIC可直接从基板取电，支持单封装数千瓦级功耗。</p>
<p>博通、Meta等客户正评估将原定台积电CoWoS方案的部分项目转至EMIB平台；英特尔已为谷歌2027年AI芯片完成EMIB-T封装验证，良率达90%，且据称EMIB-T相较CoWoS封装成本差距最高可达50%。</p>
<p>为支撑代工业务，英特尔加速工厂建设：亚利桑那州Fab 62/52已就绪待安装设备，俄勒冈州研发晶圆厂负责14A试产及后续量产，俄亥俄州一期工厂正全力建设，预计直接承担14A量产任务。</p>
<p>英特尔预计，<strong>14A和EMIB-T将从2027年底为Intel Foundry打开市场，实质性营收贡献将在2028—2029年显现。</strong></p>
<p align="center"><a href="https://img1.mydrivers.com/img/20260828/fe1a141772b84455bd048f6a9cdfc31d.png" target="_blank"><img alt="英特尔14A工艺表现优异 明年下半年风险试产" src="https://img1.mydrivers.com/img/20260828/s_fe1a141772b84455bd048f6a9cdfc31d.png" style="border: black 1px solid;" /></a></p>