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Intel、ASML宣布量产100万片High NA EUV晶圆:还要破除最大死穴
📋总体概括
Intel与ASML联合宣布High NA EUV光刻已量产100万片晶圆,全部来自Intel,主要用于18A工艺,比原定在14A工艺才导入该技术提前约2年。ASML全球总产量为135万片,其余35万片来自台积电、三星、SK海力士的测试与小规模生产。全球现有4家客户投入10台High NA EUV设备,另有3台在装机。双方还宣布合作开发6x12英寸大尺寸光罩,计划2031年试产、2033年量产,以解决High NA视场减半导致芯片面积上限仅约429mm2、无法制造高性能AI大芯片的死穴。
⚡关键信息
- ▸Intel在18A工艺上使用High NA EUV,比原定14A导入提前约2年
- ▸High NA EUV全球已量产135万片晶圆,其中100万片由Intel完成
- ▸全球4家客户投入10台High NA EUV光刻机,另有3台在出货安装
- ▸Intel与ASML合作开发6x12英寸光罩,2031年试产、2033年量产
- ▸High NA视场减半使芯片面积上限降至约429mm2,做不了高性能AI芯片
🔥犀利点评
Intel用100万片晶圆抢下High NA EUV首个里程碑,本质是18A翻身仗的叙事工程——量产片数领先不等于良率和订单领先,但至少证明它在先进制程上还有牌可打。真正的死穴是光罩:429mm2的面积上限直接把AI大芯片市场拱手让人,6x12英寸光罩2033年才能量产,远水难解近渴。Intel赌的是时间差,赌注是未来的现金流。
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