中国移动攻克高维量子技术难题！硅光芯片创规模新纪录

📋总体概括

中国移动研究院在高维量子技术领域取得突破，成功在长16毫米、宽1.5毫米的可编程硅光量子芯片上制备高维多体纠缠态，创下该领域规模新纪录。团队首次提出高维W纠缠态普适定义，完善高维量子纠缠态理论，并利用单光子承载多个量子信息单元的方案突破规模化制备瓶颈。实验成功制备三体四维GHZ纠缠态和W纠缠态，保真度分别达93.2%和90.1%，成果发表于《Light: Science & Applications》。高维纠缠在信息容量与抗噪声能力上优于传统二维量子比特。