英特尔CEO警告：内存短缺还会加剧 电力和冷却技术为核心瓶颈

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英特尔CEO陈立武9月16日警告，内存短缺将进一步加剧：因AI带动HBM需求激增，三星、SK海力士、美光产能跟不上，且产线转向HBM后通用内存出现缺口，内存价格已上涨5至7倍，中低端手机与笔记本获取内存困难，不少项目因此延期。他还指出电力供给和冷却技术（液冷、微流体冷却）将成为半导体市场核心瓶颈，建议业界关注半导体向系统级架构转型的趋势。