皇冠明珠又少了一颗：国产内存率先量产4F2技术让韩、美持续破防

📋总体概括

长鑫科技宣布年底推出基于全新4F2架构的内存芯片，比三星计划的2028年量产时间提前约2年。此前长鑫已率先量产LPDDR6内存并推出基于DUV+SAQP光刻工艺的G5内存。消息在X上刷屏，并引发美、日、韩存储企业股价大跌。三星、SK海力士、美光垄断内存市场数十年，长鑫的突破可能戳破西方内存技术垄断，韩国、美国分析师持续发声降温，称年底推出新品不等于大规模量产。