英伟达定制HBM计划促成罕见合作 三星与台积电联手开发3纳米基底芯片

📋总体概括

英伟达为下一代AI加速器推进定制HBM方案NVHBM，要求长期竞争对手三星与台积电联手开发3纳米基底芯片，美光与SK海力士也被纳入同一计划。其核心逻辑是通过统一制造流程形成一致产品规范，减少逐家质量验证步骤，加快产品导入。官方称NVHBM相比标准HBM4E可提供高达30%的额外内存带宽，功耗最多降低15%。核心存储芯片需采用第六代DRAM「1c」工艺。该方案预计将用于Feyman架构GPU，三星同时保留自家代工作为产能备份。