三星据悉将采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

📋总体概括

据报道，三星电子将首次在HBM制造环节与台积电合作，采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代定制HBM基底裸片。英伟达为确保性能一致性，要求三星、SK海力士和美光三家HBM供应商在NVHBM基底裸片生产中统一使用台积电3纳米工艺。此举打破了三星惯常的垂直整合模式，也凸显英伟达对AI算力供应链的强势掌控力，HBM竞争已从存储芯片本身延伸到封装与制造生态的深度绑定。