供应链🔥7.0
国产DRAM重大突破！长江存储准备量产9600 MT/s的LPDDR5X内存
📋总体概括
据快科技报道，长江存储正开发速率高达9600 MT/s的LPDDR5X内存，并计划在武汉Fab 3工厂量产，这是其NAND业务之外首次进军高速移动DRAM赛道，直接对标三星、美光。此前自2025年10月起，长存已在Fab 2研发第二代16Gb LPDDR5，速率7500 MT/s，月产约5000片晶圆。新版首次引入垂直通道晶体管（VCT）与4F²单元架构，显著提升密度并降低成本，与长鑫存储的4F² DDR5计划相呼应，形成中国存储厂商集体押注新架构的态势，也直接反驳了美光对4F²可行性的质疑。
⚡关键信息
- ▸长江存储开发9600 MT/s LPDDR5X内存，计划在武汉Fab 3工厂量产，直接对标三星、美光
- ▸自2025年10月起，长存已在Fab 2研发第二代16Gb LPDDR5，速率7500 MT/s，月产约5000片晶圆
- ▸9600 MT/s版本首次引入垂直通道晶体管VCT与4F²单元架构，标志从成熟制程向先进DRAM架构切换
- ▸4F²架构相比传统6F²可大幅缩减单元面积，提升密度、降低成本，长鑫存储亦有4F² DDR5计划呼应
- ▸美光曾公开唱衰4F²称其微缩路径不可行，中国厂商的同步推进正让该判断面临挑战
🔥犀利点评
长存带着3D NAND的垂直集成基因杀入DRAM，用VCT打4F²，本质是把自家看家本领平移到新赛道，打法聪明。但美光唱衰4F²也不是空穴来风——微缩路径、良率、IP生态都是硬骨头。从5000片晶圆月产到真正威胁三星美光，中间隔着数座大山。乐观值得给，吹突破则为时过早。
📰 相关资讯（与本文相关的其他资讯）
本文由本站自动聚合，以下为原始来源：前往 驱动之家 阅读全文 →