中国团队在芯片领域获重要突破：省电耐用反复开关超千亿次

📋总体概括

中国科学院半导体研究所吴江滨、谭平恒团队联合香港大学等研制出新型「铁电隧穿结」，利用二维滑移铁电材料原子层间不到1纳米的埃米级微小滑移实现状态切换，开关电阻相差约1900万倍，反复开关超过1000亿次，破解了传统铁电材料「大电阻差」与「耐久性」难以兼得的老难题，为更省电、耐用的存储及存算一体芯片提供了新路径，属车规芯片与算力底座层面的底层材料突破。